RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
39
Autour de -77% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
22
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2165
2646
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kllisre 0000 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLE8G3D1869DE1TX0. 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link