RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
39
Autour de -39% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2165
3437
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link