RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Note globale
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
39
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2165
2831
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link