RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Note globale
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
40
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
40
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2165
2340
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link