RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Note globale
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
40
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
40
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2165
2340
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link