RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Note globale
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
40
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
40
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2165
2340
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link