RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
63
Autour de 60% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
63
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
1863
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link