RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
25
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
2495
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link