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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
25
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
3169
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
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