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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
29
Autour de 14% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
3467
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
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Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
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