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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
34
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
2902
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
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