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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Raisons de considérer
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
25
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.3
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
19
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
3169
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
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