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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
56
Autour de 55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.1
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
56
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
2200
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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