RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
51
Autour de 51% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.1
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
51
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
10.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
2359
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link