RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
46
Autour de 46% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
46
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
2660
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link