RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
72
Autour de 65% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
72
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
1593
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link