RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
73
Autour de 66% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
73
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
1822
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link