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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
2889
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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