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Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB vs Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Note globale
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
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Raisons de considérer
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
39
Autour de -34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.5
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2096
3311
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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