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Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB vs Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Note globale
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
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Raisons de considérer
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
39
Autour de -44% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.5
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2096
3296
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB Comparaison des RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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