RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
29
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
28
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1892
2417
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB Comparaison des RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link