RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
28
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.4
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
20.1
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
23
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
22.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
20.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1854
4421
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link