RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Comparez
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Note globale
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,001.3
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
58
Autour de -87% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,796.5
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,001.3
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
768
3039
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB Comparaison des RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston KHX16 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link