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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Comparez
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Note globale
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Note globale
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Raisons de considérer
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
65
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
4.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
41
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
4.2
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
985
3114
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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