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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Comparez
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Note globale
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Note globale
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Raisons de considérer
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
65
Autour de -132% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.9
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
4.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
28
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
19.9
Vitesse d'écriture, GB/s
4.2
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
985
3732
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Comparaison des RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
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