RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Comparez
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Note globale
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Note globale
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
65
Autour de -132% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
4.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
28
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
4.2
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
985
3669
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Comparaison des RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link