RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Comparez
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Note globale
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Note globale
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
65
Autour de -76% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
4.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
37
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
4.2
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
985
2321
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Comparaison des RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link