RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Comparez
Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Note globale
Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
28
Autour de -40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
20
Vitesse de lecture, GB/s
8.8
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.0
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1397
3359
Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link