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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs Avexir Technologies Corporation T 4GB
Note globale
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
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Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation T 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
25
Autour de -19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
21
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2152
2801
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB Comparaison des RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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