RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Comparez
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Note globale
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
36
Autour de 31% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2152
2966
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB Comparaison des RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link