RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Comparez
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
41
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.5
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2087
2179
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link