RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Comparez
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Note globale
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
43
Autour de -43% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.8
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
3394
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link