RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Comparez
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Note globale
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Note globale
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
5.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
43
Autour de -54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
5.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
1699
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link