RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Comparez
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Note globale
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Note globale
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
43
Autour de -87% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
2872
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link