RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Comparez
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Note globale
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
43
Autour de -16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
37
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
2698
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link