RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Comparez
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Note globale
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
43
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
38
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
2346
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link