RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Comparez
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Note globale
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
31
Autour de 23% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
31
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2267
3650
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link