RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Comparez
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Note globale
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Note globale
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
35
Autour de 31% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
35
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2267
2699
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link