RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Comparez
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
27
Autour de 11% latence réduite
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
27
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2267
2409
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link