RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Comparez
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Note globale
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Note globale
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
59
Autour de 59% latence réduite
Raisons de considérer
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
59
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2267
2181
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link