RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Comparez
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Note globale
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
38
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
29
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2361
3273
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB Comparaison des RAM
Kingston HP698650-154-MCN 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link