RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Comparez
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Note globale
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
38
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
26
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2361
2486
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB Comparaison des RAM
Kingston HP698650-154-MCN 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Mushkin 994083 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link