RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Comparez
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Note globale
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
44
Autour de -144% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
18
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2302
3564
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB Comparaison des RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GNL-F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link