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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Comparez
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Note globale
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
44
Autour de -132% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.5
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
19
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2302
3435
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
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