RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Comparez
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Note globale
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Note globale
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
44
Autour de -57% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2302
3552
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB Comparaison des RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GNL-F 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link