RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Comparez
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Note globale
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
20.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.4
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
18
18
Vitesse de lecture, GB/s
20.5
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
16.4
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3530
3431
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link