RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Comparez
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Note globale
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Note globale
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
27
Autour de 33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.4
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
18
27
Vitesse de lecture, GB/s
20.5
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
16.4
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3530
2419
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB Comparaison des RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link