RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Comparez
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Note globale
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Note globale
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
22
Autour de 18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.4
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
18
22
Vitesse de lecture, GB/s
20.5
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
16.4
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3530
2272
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Crucial Technology CT102464BF1339.C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link