RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Comparez
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Note globale
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Note globale
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
28
Autour de 36% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.4
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
18
28
Vitesse de lecture, GB/s
20.5
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
16.4
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3530
2920
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link