RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Comparez
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Note globale
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Note globale
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
52
Autour de -79% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
1,479.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,226.4
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,479.2
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
590
3221
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link