RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Comparez
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Note globale
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
52
Autour de -108% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
1,479.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,226.4
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,479.2
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
590
3187
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link