RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Comparez
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Note globale
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,935.8
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
45
Autour de -50% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
30
Vitesse de lecture, GB/s
6,336.8
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,935.8
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1144
3106
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
INTENSO M418039 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link